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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0564928 (2014-12-09) |
등록번호 | US-9246048 (2016-01-26) |
우선권정보 | KR-10-2010-0071976 (2010-07-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 50 |
Example embodiments are directed to light-emitting devices (LEDs) and methods of manufacturing the same. The LED includes a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an active layer formed between the first and second semiconductor layers; and an emission pattern layer including a plu
1. A method of manufacturing a light-emitting device (LED), the method comprising: forming a buffer layer on a first substrate;sequentially forming a first semiconductor layer of a first impurity type, an active layer, and a second semiconductor layer of a second impurity type on the buffer layer;fo
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