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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0966605 (2013-08-14) |
등록번호 | US-9255324 (2016-02-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 4 |
The present disclosure is related to an aluminum-containing precursor composition, especially a precursor composition which is vaporized to be used for vapor phase deposition processes such as chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD).
1. A precursor composition for depositing an aluminum-containing thin film, comprising AlH3 and N-methylpyrrolidine (MP), wherein a ratio of N-methylpyrrolidine (MP) to 1 equivalent of AlH3 is from greater than 1 equivalent to no more than about 1.35 equivalent, or no less than about 2.25 equivalent
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