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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0176228 (2014-02-10) |
등록번호 | US-9281211 (2016-03-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 14 |
An interconnect structure includes a first dielectric material having an undercut region located at an upper surface thereof. A first conductive structure is located above a first area of the undercut region. The first conductive structure comprises a first conductive metal portion having a diffusio
1. A method of forming a semiconductor structure, said method comprising: providing a dielectric material stack of, from bottom to top, a first dielectric material and a second dielectric material;forming at least one opening having a width from 5 nm to 800 nm within said second dielectric material,
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