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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0106454 (2013-12-13) |
등록번호 | US-9299562 (2016-03-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 258 |
Materials, methods, structures and device including the same can provide a semiconductor device such as an LED using an active region corresponding to a non-polar face or surface of III-V semiconductor crystalline material. In some embodiments, an active diode region contains more non-polar III-V ma
1. A method comprising: providing a first layer of a first semiconductor crystalline material over a substrate, the first layer having a polar top surface;forming a recess in the first layer, the recess having a non-polar sidewall surface of the first semiconductor crystalline material; andforming a
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