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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0108366 (2011-05-16) |
등록번호 | US-9337268 (2016-05-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 13 |
A negative bevel edge termination for a Silicon Carbide (SiC) semiconductor device is disclosed. In one embodiment, the negative bevel edge termination includes multiple steps that approximate a smooth negative bevel edge termination at a desired slope. More specifically, in one embodiment, the nega
1. A Silicon Carbide (SiC) semiconductor device comprising: a multi-step negative bevel edge termination that approximates a smooth slope;a semiconductor layer of a first conductivity type;wherein a surface of the semiconductor layer in an edge region of the semiconductor layer is doped with ions of
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