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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0004018 (2012-03-09) |
등록번호 | US-9352969 (2016-05-31) |
우선권정보 | FR-11 51926 (2011-03-09) |
국제출원번호 | PCT/EP2012/054124 (2012-03-09) |
§371/§102 date | 20130909 (20130909) |
국제공개번호 | WO2012/120117 (2012-09-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
A process for manufacturing silicon-based nanoparticles by electrochemical etching of a substrate, wherein the substrate is a metallurgical-grade or upgraded metallurgical-grade silicon, the substrate including an impurity content greater than 0.01%.
1. A process for manufacturing hydrogen via silicon-based nanopowders, comprising: providing a substrate made of metallurgical-grade silicon or upgraded metallurgical-grade silicon having an impurity content greater than 10 ppm by weight,electrochemically etching said substrates to form silicon-base
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