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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0319029 (2014-06-30) |
등록번호 | US-9368344 (2016-06-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 35 |
Methods of fabricating semiconductor devices or structures include forming structures of a semiconductor material overlying a layer of a compliant material, subsequently changing the viscosity of the compliant material to relax the semiconductor material structures, and utilizing the relaxed semicon
1. A method of fabricating a semiconductor structure, comprising: forming a plurality of openings extending through a layer of semiconductor material and at least partially through a layer of compliant material;reflowing the layer of compliant material and relaxing a remaining portion of the layer o
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