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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0494699 (2014-09-24) |
등록번호 | US-9379198 (2016-06-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 13 |
An integrated circuit structure with a selectively formed and at least partially oxidized metal cap over a gate. In one embodiment, an integrated circuit structure has: a substrate; a metal gate located over the substrate; at least one liner layer over the substrate and substantially surrounding the
1. An integrated circuit structure comprising: a substrate;a metal gate located over the substrate;at least one liner layer over the substrate and substantially surrounding the metal gate;a spacer member adjacent the at least one liner layer;an at least partially oxidized etch stop layer located dir
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