[특허]Method for the production of silicon from silyl halides

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B01J-019/08 C01B-033/03 B01J-019/12
출원번호	US-0398346 (2012-02-16)
등록번호	US-9382122 (2016-07-05)
우선권정보	DE-10 2005 024 041 (2005-05-25)
발명자 / 주소	Auner, Norbert
출원인 / 주소	Spawnt Private S.à.r.l.
대리인 / 주소	Collard & Row, P.C.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 21

초록

The present invention relates to a method for the production of silicon from silyl halides. In a first step, the silyl halide is converted, with the generation of a plasma discharge, to a halogenated polysilane, which is subsequently decomposed to silicon, in a second step, with heating.

대표청구항 ▼

1. Method for producing halogenated polysilanes from silyl halides, wherein a gas comprising a silyl halide in a gaseous state is led into a reactor and the silyl halide in the gaseous state is converted, with a generation of a plasma discharge, to a halogenated polysilane, wherein the halogenated polysilane is removed from reactor walls and from a reaction chamber as a liquid or solid, wherein a temperature of a wall of the reactor is held to less than 400° C. in which the production of halogenated polysilanes takes place and the plasma discharge is generated in the gas, and wherein the gas consists of silyl halide or consists of a mixture of the silyl halide with hydrogen and/or a diluting inert gas and/or admixtures that promote the plasma discharge. 2. Method according to claim 1, wherein compounds of the formula HnSiX4-n (X=F, Cl, Br, I; n=0-3) or mixtures of them are used as silyl halides. 3. Method according to claim 1, wherein the plasma discharge is supported via an introduction of free charge carriers into a discharge zone. 4. Method according to claim 3, wherein the free charge carriers are generated via applying a high voltage between electrodes. 5. Method according to claim 1, wherein the plasma discharge is generated via radiating in an electromagnetic alternating field. 6. Method according to claim 1, wherein the production of the halogenated polysilane takes place at a pressure of 0.1 to 1000 hPa. 7. Method according to claim 1, wherein a temperature of the gas when the gas enters into the reactor lies between minus 67° C. and 100° C., and a temperature of a gas mixture that leaves the reactor amounts to less than 400° C. 8. Method according to claim 1, wherein the production of the halogenated polysilane takes place at a pressure of 0.1 to 100 hPa. 9. Method according to claim 1, wherein the halogenated polysilane is a pure compound or a mixture Of compounds each having at least one direct Si—Si bond. 10. Method according to claim 9, wherein substituents of the halogenated polysilane consist substantially of halogen or of halogen and hydrogen. 11. Method according to claim 9, wherein in the halogenated polysilane an atomic ratio of substituents:silicon is at least 1:1.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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