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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0329744 (2014-07-11) |
등록번호 | US-9385036 (2016-07-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
Methods and apparatus for forming a semiconductor device are provided which may include any number of features. One feature is a method of forming an interconnect structure that results in the interconnect structure having a top surface and portions of the side walls of the interconnect structure co
1. A method of manufacturing a structure comprising a semiconductor device, the method comprising: forming a first opening in a substrate, the first opening extending down into the substrate;forming a first feature for an interconnect structure, the first feature being electrically conductive and ha
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