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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0306093 (2014-06-16) |
등록번호 | US-9385319 (2016-07-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 127 |
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1. A method for forming a resistive memory device comprising: disposing a first metallic layer above a semiconductor substrate;disposing a non-metallic conductive layer above the first metallic layer;forming an interface region above and adjacent to the non-metallic conductive layer having a negativ
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