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Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-028/10
  • C30B-029/36
  • C30B-028/12
출원번호 US-0951808 (2013-07-26)
등록번호 US-9388509 (2016-07-12)
발명자 / 주소
  • Zwieback, Ilya
  • Gupta, Avinash K.
  • Wu, Ping
  • Barrett, Donovan L.
  • Ruland, Gary E.
  • Anderson, Thomas E.
출원인 / 주소
  • II-VI Incorporated
대리인 / 주소
    The Webb Law Firm
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 9

초록

In a method of forming polycrystalline SiC grain material, low-density, gas-permeable and vapor-permeable bulk carbon is positioned at a first location inside of a graphite crucible and a mixture of elemental silicon and elemental carbon is positioned at a second location inside of the graphite cruc

대표청구항

1. A method of forming polycrystalline SiC material comprising the steps of: (a) positioning bulk carbon at a first location inside of a graphite crucible, wherein the bulk carbon is gas-permeable and vapor-permeable;(b) positioning a mixture comprised of elemental silicon (Si) and elemental carbon

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Balakrishna Vijay ; Augustine Godfrey ; Gaida Walter E. ; Thomas R. Noel ; Hopkins Richard H., Advanced physical vapor transport method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide.
  2. Barrett Donovan L. (Penn Hills Township PA) Seidensticker ; deceased Raymond G. (late of Forest Hills PA by Joan Seidensticker ; heir ) Hopkins Richard H. (Murrysville PA), Apparatus for growing large silicon carbide single crystals.
  3. Kriegesmann Jochen (Durach-Bechen DEX) Lipp Alfred (Bad Worishofen DEX) Reinmuth Klaus (Durach DEX), Dense shaped articles of polycrystalline a 상세보기
  • Kordina Olle,SEX ; Hallin Christer,SEX ; Janzen Erik,SEX, Device and a method for epitaxially growing objects by CVD.
  • Sudo, Akinori; Sotowa, Chiaki; Murakami, Shigeru, Graphite carbon powder, and method and apparatus for producing the same.
  • Balakrishna Vijay ; Thomas R. Noel ; Augustine Godfrey ; Hopkins Richard H. ; Hobgood H. McDonald, Method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide.
  • Golan, Gady, Method of producing silicon carbide.
  • Deleeuw David C. (Midland MI) Lipowitz Jonathan (Midland MI) Rabe James A. (Midland MI), Preparation of substantially polycrystalline silicon carbide fibers from methylpolydisilylazanes.
  • Kanemoto Masashi,JPX ; Endo Shinobu,JPX ; Hashimoto Masao,JPX, Process for producing high purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single.
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