[특허]Single electron transistor device

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/06 H01S-005/34 H01L-021/02 H01L-029/12 H01L-029/15 H01S-005/026 H01S-005/062 H01S-005/30 G02B-006/125 B82Y-010/00 H01L-027/144 H01L-027/15 H01L-031/0352 H01L-031/18 H01L-033/00 H01L-033/06 H01L-029/66 H01L-029/778 H01S-005/183
출원번호	US-0551619 (2014-11-24)
등록번호	US-9401400 (2016-07-26)
발명자 / 주소	Taylor, Geoff W.
출원인 / 주소	THE UNIVERSITY OF CONNECTICUT
대리인 / 주소	Sughrue Mion, PLLC
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 20

초록 ▼

A transistor device is provided that includes a gate electrode disposed between source and drain electrodes and overlying a quantum dot structure realized by a modulation doped quantum well structure. A potential barrier surrounds the quantum dot structure. The transistor device can be configured for operation as a single electron transistor by means for biasing the gate and source electrodes to allow for tunneling of a single electron from the source electrode through the potential barrier surrounding the quantum dot structure and into the quantum dot structure, and means for biasing the gate and drain electrodes to allow for selective tunneling of a single electron from the quantum dot structure through the potential barrier surrounding the quantum dot structure to the drain electrode, wherein the selective tunneling of the single electron is based upon spin state of the single electron.

대표청구항 ▼

1. A transistor device comprising: a gate terminal electrode disposed between a source terminal electrode and a drain terminal electrode;wherein the gate terminal electrode overlies a quantum dot structure embedded in a quantum well of a modulation doped quantum well structure that includes a charge sheet offset from the quantum well, andwherein a potential barrier surrounds the quantum dot structure. 2. A transistor device according to claim 1, wherein: the potential barrier is defined by an ion implant region that surrounds the quantum dot structure. 3. A transistor device according to claim 2, wherein: the ion implant region is formed from an ion species that reacts with the charge sheet of the modulation doped quantum well structure under predefined high temperature conditions. 4. A transistor device according to claim 3, wherein: location and dimensions of the potential barrier are dictated by the location and size of an opening defined by a photomask that allows for the implantation of the ion species. 5. A transistor device according to claim 3, wherein: the ion species comprises oxygen ions. 6. A transistor device according to claim 1, further comprising: means for biasing the gate and source terminal electrodes to allow for tunneling of a single electron from the source terminal electrode through the potential barrier surrounding the quantum dot structure and into the quantum dot structure; andmeans for biasing the gate and drain terminal electrodes to allow for selective tunneling of a single electron from the quantum dot structure through the potential barrier surrounding the quantum dot structure to the drain terminal electrode, wherein the selective tunneling of the single electron is based upon spin state of the single electron. 7. A transistor device according to claim 1, wherein: the quantum dot structure is self-assembled.

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A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
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