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연합인증

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Reaction chamber including a susceptor having draining openings for manufacturing a silicon carbide wafer

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-025/12
  • H01L-021/02
  • C30B-033/00
  • C30B-033/06
  • C30B-009/06
  • C30B-019/04
  • C30B-019/08
  • C30B-019/12
  • C30B-029/36
  • C23C-016/01
  • C23C-016/02
  • C23C-016/32
출원번호 US-0714277 (2012-12-13)
등록번호 US-9406504 (2016-08-02)
우선권정보 IT-MI2011A2273 (2011-12-15)
발명자 / 주소
  • Frisina, Ferruccio
  • Abbondanza, Giuseppe
출원인 / 주소
  • STMICROELECTRONICS S.R.L.
대리인 / 주소
    Seed IP Law Group PLLC
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 4

초록

An embodiment described herein includes a method for producing a wafer of a first semiconductor material. Said first semiconductor material has a first melting temperature. The method comprises providing a crystalline substrate of a second semiconductor material having a second melting temperature l

대표청구항

1. A reaction chamber for manufacturing a semiconductor material wafer, the reaction chamber comprising: a platform having sidewalls;a gathering tank positioned on the platform and between the sidewalls, the gathering tank having a plurality of protruding elements;a susceptor having a plurality of d

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Potter Timothy J. (Dearborn MI) Tamor Michael A. (Toledo OH) Wu Ching-Hsong (Farmington Hills MI), Fabrication of polycrystalline free-standing diamond films.
  2. Svilans Mikelis N. (Kanata CAX), Melt dispensing liquid phase epitaxy boat.
  3. Ioku Toshinori (Nara JPX) Sakurai Takeshi (Nara JPX), Method for making a silicon carbide substrate.
  4. Shuskus, Alexander J.; Cowher, Melvyn E., Method for removing semiconductor layers from salt substrates.
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