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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0938657 (2015-11-11) |
등록번호 | US-9472401 (2016-10-18) |
우선권정보 | EP-14193712 (2014-11-18); EP-15150151 (2015-01-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 1 |
A method is provided for forming an unsupported MoS2 layer in an aqueous medium, the method comprising the steps of: providing an assembly of a Mo oxide layer on a Si substrate; annealing said assembly in presence of H2S at a temperature sufficient for forming a MoS2 layer; and contacting the anneal
1. A method for forming an unsupported MoS2 layer in an aqueous medium, comprising: providing an assembly of a Mo oxide layer on a Si substrate;annealing the assembly in a presence of H2S at a temperature sufficient to form an annealed MoS2 layer; andcontacting the annealed assembly with an aqueous
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