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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0714223 (2015-05-15) |
등록번호 | US-9502605 (2016-11-22) |
우선권정보 | KR-10-2014-0132546 (2014-10-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 40 |
A method of fabricating a semiconductor light emitting device includes forming a first conductivity type semiconductor layer, forming an active layer by alternately forming a plurality of quantum well layers and a plurality of quantum barrier layers on the first conductivity type semiconductor layer
1. A method of fabricating a semiconductor light emitting device, comprising: forming a first conductivity type nitride semiconductor layer;forming an active layer on the first conductivity type nitride semiconductor layer; andforming a second conductivity type nitride semiconductor layer on the act
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