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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0981881 (2015-12-28) |
등록번호 | US-9520299 (2016-12-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 7 |
A semiconductor device and method for forming a semiconductor device are presented. The method includes providing a patterned reticle having a pattern perimeter defined by active and dummy patterns. The dummy patterns include dummy structures modified according to a density equation. The patterned r
1. A method for forming a device comprising: providing a patterned reticle comprising a reticle perimeter which includes a target reticle perimeter defined by total length of circumference of active and dummy patterns, the dummy patterns comprise modified dummy structures, wherein a modified dummy s
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