최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0186839 (2014-02-21) |
등록번호 | US-9524900 (2016-12-20) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
Novel methods to fabricate biological sensors and electronics are disclosed. A silicon-on-insulator wafer can be employed by etching a pattern of holes in the silicon layer, then a pattern of cavities in the insulating layer, and then sealing the top of the cavities. Further, n or p doped regions an
1. A method comprising: providing a silicon-on-insulator wafer, comprising a first silicon layer, an insulating layer, and a second silicon layer;defining a pattern of holes in the first silicon layer reaching through to the insulating layer;defining cavities in the insulating layer at locations cor
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.