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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0764349 (2014-01-28) |
등록번호 | US-9525102 (2016-12-20) |
우선권정보 | KR-10-2013-0010110 (2013-01-29); KR-10-2013-0164523 (2013-12-26) |
국제출원번호 | PCT/KR2014/000811 (2014-01-28) |
국제공개번호 | WO2014/119910 (2014-08-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 44 |
There is provided a method of manufacturing a nanostructure semiconductor light emitting device including providing a base layer formed of a first conductivity-type semiconductor, forming a mask including an etch stop layer on the base layer, forming a plurality of openings with regions of the base
1. A method of manufacturing a nanostructure semiconductor light emitting device, the method comprising: providing a base layer formed of a first conductivity-type semiconductor;forming a mask including an etch stop layer on the base layer;forming a plurality of openings with regions of the base lay
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