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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0676750 (2015-04-01) |
등록번호 | US-9525106 (2016-12-20) |
우선권정보 | KR-10-2014-0107873 (2014-08-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 41 |
A semiconductor light emitting device includes: an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer; an active layer disposed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; and an electron blocking layer disposed between the active layer and the p-type semicond
1. A semiconductor light emitting device comprising: an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer;an active layer disposed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; andan electron blocking layer disposed between the active layer and the p-type semic
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