최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0920379 (2015-10-22) |
등록번호 | US-9558933 (2017-01-31) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 8 |
A method for forming a semiconductor device includes carrying out an anodic oxidation of a surface region of a semiconductor substrate to form an oxide layer at a surface of the semiconductor substrate by generating an attracting electrical field between the semiconductor substrate and an external e
1. A method for forming a semiconductor device, the method comprising: carrying out an anodic oxidation of a surface region of a semiconductor substrate to form an oxide layer at a surface of the semiconductor substrate by generating an attracting electrical field between the semiconductor substrate
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.