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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0578940 (2014-12-22) |
등록번호 | US-9564316 (2017-02-07) |
우선권정보 | KR-10-2014-0050270 (2014-04-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 41 |
A method of manufacturing a semiconductor device, includes forming an aluminum compound film on a surface of a process chamber by supplying an aluminum (Al) source to the process chamber, the surface contacting the aluminum source in the process chamber; disposing a wafer on a susceptor provided in
1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: cutting supply of a source gas for a deposition process to an interior of a process chamber;unloading a first wafer from the process chamber;forming an aluminum compound film on a surface of the process chamber contacting the source ga
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