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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0340108 (2014-07-24) |
등록번호 | US-9570684 (2017-02-14) |
우선권정보 | KR-10-2014-0010889 (2014-01-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
Example embodiments relate to methods of doping a 2-dimensional semiconductor. The method includes forming a semiconductor layer on a substrate, implanting ions into the semiconductor layer, forming a doped layer formed of a 2-dimensional semiconductor layer or an organic semiconductor layer on the
1. A method of doping a 2-dimensional semiconductor, the method consisting of, in sequence: forming a semiconductor layer on a substrate;implanting ions into the semiconductor layer;forming a doped layer including a 2-dimensional semiconductor layer or an organic semiconductor layer on the semicondu
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