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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0072261 (2016-03-16) |
등록번호 | US-9577083 (2017-02-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 14 |
A field effect transistor (FET) device including a substrate and a plurality of semiconductor layers provided on the substrate, where a top semiconductor layer is a heavily doped cap layer and another one of the semiconductor layers directly below the cap layer is a Schottky barrier layer, and where
1. A field effect transistor (FET) device comprising: a substrate;a plurality of semiconductor layers provided on the substrate; anda gate terminal provided on the plurality of semiconductor layers, said gate terminal including a first gate metal layer provided in contact with one of the semiconduct
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