최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0505925 (2014-10-03) |
등록번호 | US-9583419 (2017-02-28) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 11 |
Some embodiments include methods of forming interconnects through semiconductor substrates. An opening may be formed to extend partway through a semiconductor substrate, and part of an interconnect may be formed within the opening. Another opening may be formed to extend from a second side of the su
1. A semiconductor construction comprising: a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate comprises; a first side;a second side in opposing relation to the first side;a first opening extending from the first side to define a first sidewall surface elongated from the first side and a
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.