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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0891541 (2014-06-19) |
등록번호 | US-9590003 (2017-03-07) |
우선권정보 | JP-2013-134838 (2013-06-27) |
국제출원번호 | PCT/JP2014/003291 (2014-06-19) |
국제공개번호 | WO2014/208060 (2014-12-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 13 |
In pixels that are two-dimensionally arranged in a matrix fashion in the pixel array unit of a solid-state imaging element, a photoelectric conversion film having a light shielding film buried therein is formed and stacked on the light incident side of the photodiode. The present technique can be ap
1. A solid-state imaging element, comprising: a photodiode;a photoelectric conversion film stacked on a light incident side of the photodiode;a light shielding film at least partially buried within the photoelectric conversion film; anda depletion layer disposed on the photodiode. 2. The solid-state
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