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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0614622 (2015-02-05) |
등록번호 | US-9608098 (2017-03-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
One embodiment of the present invention relates to a silicon-controlled-rectifier (SCR). The SCR includes a longitudinal silicon fin extending between an anode and a cathode and including a junction region there between. One or more first transverse fins traverses the longitudinal fin at one or more
1. A silicon-controlled-rectifier (SCR) disposed on a substrate, comprising: a longitudinal silicon fin extending between an anode and a cathode and including a junction region there between;one or more first transverse fins that traverse the longitudinal fin at one or more respective tapping points
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