최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0012492 (2016-02-01) |
등록번호 | US-9613900 (2017-04-04) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 14 |
An interconnect structure includes a first dielectric material having an undercut region located at an upper surface thereof. A first conductive structure is located above a first area of the undercut region. The first conductive structure comprises a first conductive metal portion having a diffusio
1. An interconnect structure comprising: a first dielectric material having an undercut region located at an upper surface thereof;a first conductive structure located above a first area of said undercut region, wherein said first conductive structure comprises a first conductive metal portion havin
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.