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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0203395 (2014-03-10) |
등록번호 | US-9616376 (2017-04-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 4 |
The electronic structure of nanowires, nanotubes and thin films deposited on a substrate is varied by doping with electrons or holes. The electronic structure can then be tuned by varying the support material or by applying a gate voltage. The electronic structure can be controlled to absorb a gas,
1. A method for storing a gas comprising: providing a device comprising: a support deposited on a gate wherein the support is in electrical communication with the gate;a carbon-containing material deposited on the support, wherein the support is in electrical communication with the carbon-containing
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