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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0408422 (2013-06-11) |
등록번호 | US-9631296 (2017-04-25) |
우선권정보 | JP-2012-165995 (2012-07-26) |
국제출원번호 | PCT/JP2013/066083 (2013-06-11) |
국제공개번호 | WO2014/017197 (2014-01-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
A method of manufacturing a silicon carbide substrate has the following steps. A silicon carbide source material is partially sublimated. After partially sublimating the silicon carbide source material, a seed substrate having a main surface is placed in a growth container. By sublimating the remain
1. A method of manufacturing a silicon carbide substrate, comprising the steps of: partially sublimating a silicon carbide source material;placing a seed substrate having a main surface in a growth container after the step of partially sublimating said silicon carbide source material; andgrowing a s
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