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Bandwidth limiting methods for GaN power transistors

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-027/06
  • H03K-005/125
  • H01L-023/495
  • H03F-003/21
  • H01L-023/433
  • H03F-001/56
  • H03F-003/195
  • H01L-023/66
  • H01L-023/31
출원번호 US-0289080 (2014-05-28)
등록번호 US-9641163 (2017-05-02)
발명자 / 주소
  • Flowers, Mitchell
  • Wood, Simon
  • Milligan, James W.
출원인 / 주소
  • Cree, Inc.
대리인 / 주소
    Myers Bigel, P.A.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 25

초록

A transistor package includes a transistor and one or more bandwidth limiting matching networks. The one or more bandwidth limiting matching networks are coupled to one of a control contact and an output contact of the transistor in order to limit the gain response of the transistor outside of a pre

대표청구항

1. A transistor package comprising: a transistor;one or more bandwidth limiting matching networks, each of the one or more bandwidth limiting matching networks coupled to one of an input node and an output node of the transistor and configured to limit a gain response of the transistor outside of a

이 특허에 인용된 특허 (25)

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  5. Shiobara Toshio (Annaka JPX) Tomiyoshi Kazutoshi (Takasaki JPX) Futatsumori Koji (Annaka JPX) Tsuchiya Takashi (Takasaki JPX) Aoki Takayuki (Annaka JPX), Epoxy resin compositions containing polysubstituted novolac epoxy resins and naphthylene based phenolic resin curing age.
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  21. Farrell, Donald; Wood, Simon, RF transistor packages with internal stability network and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks.
  22. Wood, Simon; Millon, Bradley, RF transistor packages with internal stability network including intra-capacitor resistors and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks including intra-capacitor resistors.
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