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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0336284 (2014-07-21) |
등록번호 | US-9676631 (2017-06-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 30 |
A process for producing reaction bonded silicon carbide (RBSC) from high purity, porous, essentially all-carbon preforms through contacting said preforms with silicon metal at room temperature, and subsequently heating to melt silicon metal and cause infiltration into said preform causing reaction t
1. A method for forming a component for chemically stable, high temperature applications, the method comprising: a. obtaining a preform having at least 99.995% carbon, wherein (1) the preform is fabricated from a mixed powder comprising a carbon powder and organic binder powder;(2) the carbon powder
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