최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0242226 (2016-08-19) |
등록번호 | US-9685338 (2017-06-20) |
우선권정보 | JP-2012-217087 (2012-09-28) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 5 |
A compound semiconductor device includes: a compound semiconductor layered structure; a gate electrode formed above the compound semiconductor layered structure; a first protective insulating film that covers a surface of the compound semiconductor layered structure and is made of silicon nitride as
1. A method of manufacturing a compound semiconductor device, comprising: forming a compound semiconductor layered structure;forming an electrode above the compound semiconductor layered structure, the electrode having a top surface opposite the compound semiconductor layered structure, the top surf
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.