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특허 상세정보

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Drive circuit for power semiconductor element

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H03K-017/30    H03K-017/60    H02M-001/44    H03K-017/16    H02M-001/00   
출원번호 US-0898488 (2013-06-24)
등록번호 US-9712155 (2017-07-18)
국제출원번호 PCT/JP2013/067287 (2013-06-24)
국제공개번호 WO2014/207811 (2014-12-31)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Sughrue Mion, PLLC
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 4
초록
▼

A drive circuit for a power semiconductor element includes: a voltage-command generation unit that generates a voltage command VGEref, which is a charge command between the gate and emitter terminals of a power semiconductor element; and a subtracter that calculates a deviation voltage Verr between the voltage command VGEref and the voltage between the gate and emitter terminals. The drive circuit also includes: a gate current controller that is input with the deviation voltage Verr and calculates a gate-current command voltage VIGref for determining the...

대표
청구항
▼

1. A drive circuit for a power semiconductor element comprising: a voltage-command generation unit that generates a voltage command, which is a charge command between a gate terminal and an emitter terminal of the power semiconductor element;a deviation calculation unit that calculates a deviation voltage between the voltage command and a voltage between the gate terminal and the emitter terminal of the power semiconductor element;a gate current controller that is input with the deviation voltage, and that calculates a gate-current command voltage for de...

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Ueda, Goro. Circuit for driving a semiconductor element. USP2009087579880.
  2. Tsunoda, Yoshikazu; Okuda, Tatsuya; Fuku, Masaru. Gate drive apparatus. USP2012038138818.
  3. Kimura Shin,JPX ; Nagasu Masahiro,JPX ; Inarida Satoru,JPX ; Miyazaki Hideki,JPX ; Suzuki Katsunori,JPX. Gate drive circuit of voltage drive switching element. USP2001086271709.
  4. Yamamoto, Koji; Godo, Shinsuke. Semiconductor device. USP2016129531377.

IPC 상위 출원인