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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0245872 (2014-04-04) |
등록번호 | US-9741761 (2017-08-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 265 |
A monolithic sensor for detecting infrared and visible light according to an example includes a semiconductor substrate and a semiconductor layer coupled to the semiconductor substrate. The semiconductor layer includes a device surface opposite the semiconductor substrate. A visible light photodiode
1. A monolithic sensor for detecting infrared and visible light, comprising a semiconductor substrate;a visible light pixel configured to detect visible light, the visible light pixel being formed over the semiconductor substrate and including a first plurality of pixel transistors; andan infrared p
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