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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0190406 (2016-06-23) |
등록번호 | US-9748438 (2017-08-29) |
우선권정보 | KR-10-2014-0110721 (2014-08-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 45 |
A nanostructure semiconductor light emitting device includes: a base layer formed of a first-conductivity type nitride semiconductor material; and a plurality of light emitting nanostructures disposed on the base layer to be spaced apart from each other, wherein each of the plurality of light emitti
1. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device comprising: forming a substructure including at least one light emitting region and at least one electrode region; andforming a plurality of light emitting nanostructures of different wavelengths in a common pattern in the at least o
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