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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0691904 (2015-04-21) |
등록번호 | US-9754786 (2017-09-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 76 |
An ion implantation system and process, in which the performance and lifetime of the ion source of the ion implantation system are enhanced, by utilizing isotopically enriched dopant materials, or by utilizing dopant materials with supplemental gas(es) effective to provide such enhancement.
1. A packaged gas mixture for use in ion implantation, comprising a gas mixture including boron trifluoride gas, xenon, and hydrogen, and a gas storage and dispensing vessel storing the gas mixture, wherein the boron trifluoride is isotopically enriched above natural abundance level of a boron isoto
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