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총연구비
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| 검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
|---|---|---|
| () | 우선순위가 가장 높은 연산자 | 예1) (나노 (기계 | machine)) |
| 공백 | 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (나노 기계) 예2) 나노 장영실 |
| | | 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (줄기세포 | 면역) 예2) 줄기세포 | 장영실 |
| ! | NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 | 예1) (황금 !백금) 예2) !image |
| * | 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 | 예) semi* |
| "" | 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 | 예) "Transform and Quantization" |
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특허 상세정보
System for a contactless control of a field effect transistor
| 국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | H03K-017/16 H03K-017/94 G01N-027/414 H01L-029/78 |
| 출원번호 | US-0238846 (2012-07-31) |
| 등록번호 | US-9762233 (2017-09-12) |
| 국제출원번호 | PCT/IB2012/053917 (2012-07-31) |
| §371/§102 date | 20140214 (20140214) |
| 국제공개번호 | WO2013/024386 (2013-02-21) |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 | |
| 인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
초록
The invention stems from the realization that it is possible to control the electric field in the gate region of a field effect transistor (MOS, FET etc.) without changing the net charge of the gate electrode or without resorting to electrical conduction. According to an aspect of the invention, the electric field is changed by modifying the charge distribution within the gate electrode without materially adding or subtracting charge carriers to it or changing its net charge. This is achieved by displacing one or more sources of electric field, for examp...
대표
청구항
1. A device for controlling a Field Effect Transistor, the device comprising an evacuated vessel having first and second extremities, preloaded with charge carriers creating free charges and having walls on which the free charges can scatter at least partially elastically, the first extremity being operable as a chargeable element by which said device faces a gate region of the Field Effect Transistor being spaced from and located in proximity of the gate region, and the second extremity having transmitter means configured and operable to accelerate the ...
