[특허]Application of reduced dark current photodetector with a thermoelectric cooler

Application of reduced dark current photodetector with a thermoelectric cooler 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G01J-005/20 G01J-005/06 H01L-027/146 H01L-023/38
출원번호	US-0822433 (2015-08-10)
등록번호	US-9766130 (2017-09-19)
발명자 / 주소	Maimon, Shimon
출원인 / 주소	Maimon, Shimon
대리인 / 주소	Wertsberger, Shalom
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 25

초록 ▼

A IDCA system combining thermo-electric cooler (TEC) and an internal nBn photo-detector having a photo absorbing layer comprising an n-doped semiconductor exhibiting a valence band energy level; and a contact layer comprising a doped semiconductor. A barrier layer is disposed between the photo absorbing layer and the contact layer, the barrier layer exhibiting a valence band energy level substantially equal to the valence band energy level of the doped semiconductor of the photo absorbing layer; the barrier layer exhibiting a thickness and a conductance band gap sufficient to prevent tunneling of majority carriers from the photo absorbing layer to the contact area and block the flow of thermalized majority carriers from the photo absorbing layer to the contact area. Alternatively, a p-doped semiconductor is utilized, and conductance band energy levels of the barrier and photo absorbing layers are equalized.

대표청구항 ▼

1. An integrated dewar cooler system comprising: a light permitting optical window;a sealed Dewar;a thermoelectric Cooler; anda focal plane array,wherein said focal plane array is an array of photo detectors with a reduced dark current, comprising:a photo absorbing layer comprising a doped semiconductor exhibiting a valence band energy and a conducting band energy during operation of the photo-detector;a barrier layer comprising an undoped semiconductor, the barrier layer having a band energy gap and associated conduction and valence band energies, a first side of said barrier layer adjacent a first side of said photo absorbing layer; anda contact layer comprising a doped semiconductor exhibiting a valence band energy and a conducting band energy during operation of the photo-detector, said contact layer being adjacent a second side of said barrier layer opposing said first side; wherein the relationship between the photo absorbing layer and contact layer valence and conduction band energies and the barrier layer conduction and valance band energies facilitates minority carrier current flow while inhibiting majority carrier current flow between the contact and photo absorbing layers. 2. An integrated dewar cooler as claimed in claim 1, wherein the dewar is at least partially evacuated. 3. An integrated dewar cooler as claimed in claim 1 wherein the dewar is at least partially filled with an inert gas.

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