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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0188622 (2014-02-24) |
등록번호 | US-9793474 (2017-10-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 197 |
A method of forming a non-volatile memory device. The method includes providing a substrate having a surface region and forming a first dielectric material overlying the surface region of the substrate. A first electrode structure is formed overlying the first dielectric material and a p+ polycrysta
1. A memory device, comprising: a first electrode;a second electrode having a portion comprising an active conductive material;a resistive switching material configured in an intersection region between the first electrode and the second electrode; anda buffer layer material that has a p+ impurity c
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