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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0392960 (2009-02-25) |
등록번호 | US-9803293 (2017-10-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 40 |
The present invention discloses a production method for group III nitride ingots or pieces such as wafers. To solve the coloration problem in the wafers grown by the ammonothermal method, the present invention composed of the following steps; growth of group III nitride ingots by the ammonothermal m
1. A method for producing group III nitride crystalline pieces, comprising: (a) growing a group III nitride ingot by the ammonothermal method;(b) slicing a piece out of the ingot;(c) annealing the piece for a time at a temperature and pressure sufficient to reduce a contaminant in said piece;(d) con
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