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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0437681 (2017-02-21) |
등록번호 | US-9806024 (2017-10-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 9 |
An integrated circuit device having a substrate including a dielectric layer is patterned with a set of conductive line trenches. Each conductive line trench has parallel vertical sidewalls and a horizontal bottom. A first metal fills a first portion of the set of conductive line trenches, wherein t
1. An integrated circuit device comprising: a substrate including a dielectric layer patterned with a set of conductive line trenches, each conductive line trench having parallel vertical sidewalls and a horizontal bottom;a first metal layer filling a first portion of the set of conductive line tren
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