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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0149464 (2016-05-09) |
등록번호 | US-9831101 (2017-11-28) |
우선권정보 | JP-2009-156422 (2009-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 87 |
An object is to manufacture a highly reliable semiconductor device including a thin film transistor with stable electric characteristics. In a method for manufacturing a semiconductor device including a thin film transistor in which an oxide semiconductor film is used for a semiconductor layer inclu
1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: forming an oxide semiconductor layer of which a carrier concentration is higher than or equal to 1×1018 cm−3;cooling the oxide semiconductor layer under an atmosphere containing oxygen; andforming an insulating layer in co
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