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Methods and apparatus for a configurable high-side NMOS gate control with improved gate to source voltage regulation 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H03K-017/687
  • H03K-003/0233
  • H02M-001/08
  • H03K-017/082
출원번호 US-0244814 (2016-08-23)
등록번호 US-9831852 (2017-11-28)
발명자 / 주소
  • Boakye, Emmanuel Osei
  • Son, Roland Karl
  • Luebbe, Juergen
출원인 / 주소
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
대리인 / 주소
    Davis, Jr., Michael A.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 8

초록

In described examples, a transistor has: a source and a drain coupled between a supply voltage and an output terminal; and a gate terminal. A charge pump has: an output node coupled to the gate terminal; and a clock input. An oscillator is coupled to generate a clock signal. A clock enable circuit i

대표청구항

1. Apparatus, comprising: a transistor having: a source and a drain coupled between an input voltage terminal and an output voltage terminal; and a gate terminal;a charge pump having: an output node coupled to the gate terminal; and a clock input;an oscillator coupled to generate a clock signal;a cl

이 특허에 인용된 특허 (8)

  1. Pan, Feng, Charge pump with current based regulation.
  2. Wong Stephen L. (Scarsdale NY), Control electrode disable circuit for power transistor.
  3. Wendt, Michael; Thoma, Lenz; Wicht, Bernhard, High side/low side driver device for switching electrical loads.
  4. Lee, Seok Joo, High voltage generator.
  5. Asam, Michael; Herrmann, Helmut, High-side semiconductor-switch low-power driving circuit and method.
  6. McDermott Mark W. (Austin TX) Reis Richard B. (Garland TX), Integrated charge-pump phase-locked loop circuit.
  7. Lee, Seok Joo, Regulator and high voltage generator.
  8. Chu, Gyo Soo, Voltage generator of nonvolatile memory device.
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