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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0045334 (2013-10-03) |
등록번호 | US-9842898 (2017-12-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 12 |
A method of growing an epitaxial layer on a substrate is generally provided. According to the method, the substrate is heated in a chemical vapor deposition chamber to a growth temperature in the presence of a carbon source gas, then the epitaxial layer is grown on the substrate at the growth temper
1. A substrate, comprising: a substrate body defining a surface;a first carbon deposit directly on the surface of the substrate body, wherein the first carbon deposit is formed in a temperature increase atmosphere that consists essentially of a first carbon source gas and a carrier gas, at least a p
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