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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0196323 (2016-06-29) |
등록번호 | US-9871514 (2018-01-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
An apparatus includes a FET device having a drain terminal, source terminal and a gate terminal; a first supply voltage coupled to the drain terminal of the FET; an output terminal coupled to the source terminal of the FET; a bias current supply coupled to the gate terminal of the FET; a second supp
1. An apparatus, comprising: an FET having a drain terminal, a source terminal and a gate terminal;a first supply voltage coupled to supply current to a current conduction path between the source terminal and the drain terminal of the FET;an output terminal coupled to receive current flowing through
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