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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0722904 (2015-05-27) |
등록번호 | US-9874614 (2018-01-23) |
우선권정보 | JP-2014-144420 (2014-07-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 1 |
There is provided a semiconductor apparatus comprising: a switching element including a main element and a sense element; a main diode whose cathode is connected to a first main electrode of the main element and whose anode is connected to a second main electrode of the main element; a sense diode w
1. A semiconductor apparatus comprising: an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) including: a gate, to which a gate voltage from outside the IGBT is supplied that determines an OFF period of the IGBT;a main transistor including: a collector that is connected to a collector of the IGBT; andan emi
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