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Neutral atom beam nitridation for copper interconnect

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/76
  • H01L-021/768
  • H01L-023/532
출원번호 US-0254333 (2016-09-01)
등록번호 US-9905459 (2018-02-27)
발명자 / 주소
  • Briggs, Benjamin D.
  • Clevenger, Lawrence A.
  • Rizzolo, Michael
  • Yang, Chih-Chao
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation
대리인 / 주소
    Tutunjian & Bitetto, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 15

초록

A method of forming an interconnect that in one embodiment includes forming an opening in a dielectric layer, and treating a dielectric surface of the opening in the dielectric layer with a nitridation treatment to convert the dielectric surface to a nitrided surface. The method may further include

대표청구항

1. A method of forming an interconnect comprising: forming an opening in a dielectric layer;treating a dielectric surface of the opening in the dielectric layer with a nitridation treatment to convert the dielectric surface to a nitrided surface, wherein the nitridation treatment comprises a neutral

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Ogure, Naoaki; Horie, Kuniaki; Araki, Yuji; Nagasaka, Hiroshi; Kakutani, Momoko; Satake, Tohru, Coating, modification and etching of substrate surface with particle beam irradiation of the same.
  2. Marathe, Amit P.; Wang, Connie Pin-Chin; Woo, Christy Mei-Chu, Cu interconnects with composite barrier layers for wafer-to-wafer uniformity.
  3. Yang, Chih-Chao; Edelstein, Daniel C.; Molis, Steven E., Enhanced diffusion barrier for interconnect structures.
  4. Sunil V. Hattangady ; Srikanth Krishnan ; Robert Kraft, Fabrication technique for controlled incorporation of nitrogen in gate dielectric.
  5. Yang, Chih-Chao, Interconnect structure and fabrication thereof.
  6. Ryan, E. Todd, Interconnects with a dielectric sealant layer.
  7. Hautala, John J., Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process.
  8. Jing-Cheng Lin TW; Shau-Lin Shue TW; Chen-Hua Yu TW, Method of fabricating barrier adhesion to low-k dielectric layers in a copper damascene process.
  9. Wu, Lixin, Method of forming barrier films for copper metallization over low dielectric constant insulators in an integrated circuit.
  10. Nogami Takeshi ; Lopatin Sergey ; Joo Young-Chang, Method of forming copper/copper alloy interconnection with reduced electromigration.
  11. Chen Sheng-Hsiung,TWX, Method of improving copper pad adhesion.
  12. Zhang Jiming ; Denning Dean J. ; Garcia Sam S. ; Pozder Scott K., Semiconductor device adhesive layer structure and process for forming structure.
  13. Akiyama, Kazutaka, Semiconductor device and manufacturing method thereof.
  14. Kim, Sung-Bong; Kim, Joo-Young; Lim, Min-hwan, Semiconductor device for suppressing detachment of conductive layer.
  15. Ngo, Minh Van; Hopper, Dawn; Martin, Jeremy, System and method for adhesion improvement at an interface between fluorine doped silicon oxide and tantalum.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Briggs, Benjamin D.; Clevenger, Lawrence A.; Rizzolo, Michael; Yang, Chih-Chao, Neutral atom beam nitridation for copper interconnect.
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