[특허]Method for producing a semiconductor using a vacuum furnace

Method for producing a semiconductor using a vacuum furnace 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B29C-051/36 H01L-021/02 C30B-011/00 C30B-029/06 C30B-029/64 H01L-031/18
출원번호	US-0253514 (2014-04-15)
등록번호	US-9908282 (2018-03-06)
발명자 / 주소	Carberry, John
출원인 / 주소	Mossey Creek Technologies, Inc.
대리인 / 주소	Pitts & Lake, P.C.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 16

초록 ▼

A method of manufacturing a semiconductor includes providing a mold defining a planar capillary space; placing a measure of precursor in fluid communication with the capillary space; creating a vacuum around the mold and within the planar capillary space; melting the precursor; allowing the melted precursor to flow into the capillary space; and cooling the melted precursor within the mold such that the precursor forms a semiconductor, the operations of melting the precursor, allowing the precursor to flow into the capillary space, and cooling the melted precursor occurring in the vacuum.

대표청구항 ▼

1. A method of manufacturing a semiconductor, the method comprising: providing a mold defining a planar capillary space;placing a measure of precursor in fluid communication with the planar capillary space;creating a vacuum around the mold and within the planar capillary space within a vacuum furnace;purging the vacuum furnace with argon;evacuating the vacuum furnace to a pressure less than or equal to 0.2 microns of mercury;again purging the vacuum furnace with argon;again evacuating the vacuum furnace to a pressure less than or equal to 0.2 microns of mercury;melting the precursor;allowing the melted precursor to flow into the capillary space; andcooling the melted precursor within the mold such that the precursor forms a semiconductor, where the melting the precursor, the allowing the precursor to flow into the capillary space, and the cooling the melted precursor occur under the vacuum. 2. The method of claim 1 wherein the vacuum is sufficient to reduce molecules of oxygen in a liter of space by 99.999978% of standard atmosphere. 3. The method of claim 2 wherein the vacuum is sufficient to reduce the molecules of oxygen in a liter of space from 3.18×1021 to 8.36×1014. 4. The method of claim 3, wherein the melting the precursor, the allowing the precursor to flow into the capillary space, and the cooling the melted precursor occur in the vacuum furnace. 5. The method of claim 1 wherein the precursor comprises silicon. 6. The method of claim 5 wherein the silicon is at least 99.99% pure. 7. The method of claim 6 wherein the silicon is at least 99.99999% pure. 8. The method of claim 7 wherein the silicon is at least 99.9999999% pure. 9. The method of claim 1 wherein the mold is fabricated from graphite. 10. The method of claim 9 wherein the mold is covered with a material that is substantially non-reactive to the precursor. 11. The method of claim 10, the material being silicon nitride. 12. The method of claim 1 further comprising adding a dopant to the precursor prior to melting. 13. The method of claim 12, wherein the dopant is selected from the group consisting of arsenic, phosphorous, boron, and gallium.

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