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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0686068 (2010-01-12) |
등록번호 | US-9909218 (2018-03-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 28 |
A method and apparatus for local beam processing using a beam activated gas to etch material are described. Compounds are disclosed that are suitable for beam-induced etching. The invention is particularly suitable for electron beam induced etching of chromium materials on lithography masks. In one
1. A method for beam-induced selective etching of a material on a substrate, comprising: a. directing a beam toward the material on the substrate;b. directing a gas toward the material to be removed, the gas comprising a compound having a first atom of a halogen and at least one second atom differen
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